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在2025年1月舉辦的DesignCon2025大會上，花園新能源聯(lián)合多家下游單位針對銅箔晶體結(jié)構(gòu)對電性能的影響開展了相關(guān)研究，研究論文《The Influence of Copper Crystal Structure on Signal?Integrity》入選DesignCon2025。
DesignCon會議是專注于電子設(shè)計(jì)、芯片設(shè)計(jì)、高速電路及系統(tǒng)工程的全球頂級盛會，始創(chuàng)于20世紀(jì)90年代，現(xiàn)每年定期在美國硅谷舉辦（通常為1月或2月）。作為業(yè)界最具影響力的技術(shù)會議之一，DesignCon每年吸引來自全球的數(shù)千名專業(yè)人士參與，被譽(yù)為電子設(shè)計(jì)界的“創(chuàng)新風(fēng)向標(biāo)”。會議聚焦前沿技術(shù)趨勢，重點(diǎn)涵蓋信號完整性、電源完整性、PCB（印制電路板）設(shè)計(jì)、封裝技術(shù)以及測試驗(yàn)證等關(guān)鍵領(lǐng)域。其專業(yè)受眾包括硬件工程師、系統(tǒng)設(shè)計(jì)師、EDA（電子設(shè)計(jì)自動化）工具開發(fā)者以及半導(dǎo)體行業(yè)專家等高端技術(shù)群體。
憑借其深厚的技術(shù)積淀和前瞻性的議題設(shè)置，DesignCon不僅為與會者提供了深入的行業(yè)洞察，更為電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域的創(chuàng)新發(fā)展搭建了重要的交流平臺，持續(xù)推動著全球電子工程技術(shù)的進(jìn)步。
在高頻和高速數(shù)字應(yīng)用中，導(dǎo)體損耗隨著傳輸速率的提升占比越來越大。目前，行業(yè)內(nèi)對導(dǎo)體損耗的研究主要集中在降低粗糙度和減小比表面積上。然而，HVLP銅箔的粗糙度Rz已經(jīng)可以控制在0.5μm左右，結(jié)合剝離強(qiáng)度的要求，這幾乎達(dá)到了銅箔應(yīng)用的極限。因此，進(jìn)一步降低導(dǎo)體損耗遇到了開發(fā)瓶頸。此外，在PCB蝕刻過程中，銅箔的結(jié)晶取向、晶粒尺寸和晶界會顯著影響蝕刻后的表面形貌，從而進(jìn)一步影響高密度互連器件中導(dǎo)體的信號完整性。基于上述考慮，本次研究以花園RTF2（HRP31）及HVLP2（HVP21）銅箔為研究對象，對銅箔的晶體結(jié)構(gòu)分別進(jìn)行退火調(diào)控，最后比較銅箔晶體結(jié)構(gòu)對于后續(xù)PCB加工及最終電性能的影響。
測試發(fā)現(xiàn)：
1. 退火過程未顯著改變銅箔的表面形貌和粗糙度，但晶?？赡苡休p微細(xì)化趨向。
2. 插入損耗測試表明，這種細(xì)化對損耗的影響在 20 GHz 之前可以忽略不計(jì)，在 20 GHz 至 50 GHz 的頻率范圍內(nèi)影響也很小。
3. 為了研究更高帶寬下的影響，有必要進(jìn)一步改進(jìn)設(shè)計(jì)測試帶寬并獲得更多實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。在未來的工作中，我們將繼續(xù)研究銅晶體對加工性能及電性能的影響
同時(shí)，我們將觀察銅晶體在 50-100 GHz 較高帶寬條件下對電性能的影響。
隨著通信技術(shù)向超高速率發(fā)展的趨勢日益顯著，高頻段材料的研發(fā)已成為關(guān)鍵的技術(shù)發(fā)展方向。未來，花園新能源將持續(xù)深耕高速傳輸領(lǐng)域，重點(diǎn)推進(jìn)RTF3和HVLP3以上的高端材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，致力于為下一代通信技術(shù)提供高性能、高可靠性的核心材料支撐，推動通信產(chǎn)業(yè)向更高效、更智能的方向邁進(jìn)。
中國組展機(jī)構(gòu)：盈拓展覽，以“科技創(chuàng)新和服務(wù)體驗(yàn)”為理念，打造優(yōu)質(zhì)展覽服務(wù)。榮獲多項(xiàng)殊榮，助力中國外貿(mào)企業(yè)提升國際競爭力。
下屆展會時(shí)間：2026年02月24號~02月26號
展會行業(yè)：電子
